Laitteen toimintaperiaate ja ero N-P-N ja P-N-P-transistorit

On olemassa kahta perustyyppiä transistorit: kaksisuuntainen ja kenttä. Bipolaaritransistoreita, vuorostaan, on jaettu tyyppi, jossa on P-N-P ja N-P-N-rajapinnan. Tässä artikkelissa kerron teille rakenteesta bipolaaritransistoreissa ja me puhumme toimintaperiaate ja mitkä niiden tärkein ero. Joten te mennä.

Hieman historiaa

Virallisten tietojen mukaan hakuhistoriatietuetta päivämäärä 12.16.1947 vuoden voidaan pitää virallisia syntymäpäivänä yksi tärkeimmistä elementeistä kaikissa nykyaikaisissa elektroniikka. Se esiteltiin yleisölle tänä päivänä, ensimmäinen transistori, joka koottiin kolme tutkijat, nimittäin: D. Bardeen, W. Shockley ja W. Brattain.

Syntyminen bipolaaritransistorin saa luopua käyttöä tyhjöputket. Kaikki nykyaikaisen elektroniikan olisi mahdotonta ilman tätä tuotetta. Tuo on niin tärkeä löytö tehtiin puolivälissä 20-luvulla. Nyt alkaen historiassa siirtymistä bipolaaritransistorin.

Miten bipolaaritransistorin

Siten, bipolaarinen transistori voidaan esittää kaaviona seuraavasti:

Katso tarkkaan kuvaa, et se muistuttaa jotain? Kyllä, olet oikeassa, jos katsot tarkkaan ja henkisesti jakaa N vyöhyke - siirtyminen, niin meillä on kaksi toisiinsa diodit (muista tämä hetki, että tulevaisuudessa tarvitsemme).

Määrittää johtavuus ennen yhteyden diodi, se on tarpeeksi lukea suuntaan P-N-rajapinnan. Kuva yllä me johtavuustyyppiä P-N-P. Tämä tarkoittaa, että joudumme transistori eteenpäin johtuminen (koska oletetaan, että nykyinen virtaa plus miinus).

Mutta transistori N-P-N-tyypin johtavuuden vastavuoroinen

Oletko huomannut, että molemmissa suoritusmuodoissa on kolme päätelmät aiheesta:

Lähetin (lähde generaattori), Base (emäs) ja kerääjä (kerääjä, varastointi).

Kaaviosymbolit transistorit

Kaikesta edellä kirjoitettu, luultavasti jo tiesi, että on olemassa transistoreita, negatiivisia ja positiivisia järjestyksessä, mikä tarkoittaa, että järjestelmät tällaisten elementtien pitäisi olla eroja. Katsotaanpa niitä.

Siten, nimeäminen transistorin eteenpäin johtuminen on järjestelmiä ovat seuraavat:

Mutta päinvastaisessa johtuminen transistori on nimetty seuraavasti:

Vanhassa Neuvostoliiton käsikirjat transistorit on merkitty kirjaimella "T", ja nyt nimitys muutettiin "VT".

Koska järjestelmä määrittää N-P-N-tai P-N-P transistori ennen

Itse asiassa määrittää tyypin bipolaarisen transistorin piiri on melko yksinkertainen, vain muistaa seuraavaa sääntöä:

Kuten on tunnettua, että N - puolijohde, suuri määrä vapaita elektroneja, ja P-tyypin puolijohde sijaitsee "reikä" - positiivisesti varautuneita hiukkasia. Yleisesti hyväksytty teoria virta kulkee "plus" ja "negatiivinen".

Jos tarkastellaan kaaviota, näet, että lähetin on esitetty nuolella, joka on suunnattu joko alustaan ​​tai siitä. Joten jos transistori N-P-N- tyyppi, eli on muodostettu P- emäksen puolijohde, virta kulkee pohjan (nuoli emitteri-emäs). Jos tukiasema on tehty N - puolijohde, nykyinen (nuoli) virtaa pohja.

Miten P-N-P-transistori

Nimikkeellä ja laitteen, kuten kaikki on selvää, ja tässä on, miten se toimii, nyt ymmärtää:

Kuvitellaan bipolaaritransistori kuin veden putken venttiili, jossa on jousimekanismi.

Kuten kuvasta nähdään ylhäältä tasoittaa veden virtausta putken läpi estää venttiilin jousen mekanismi, jos laittaa vähän vaivaa (avoin venttiili puristamalla jousi), vettä vapaasti Se virtaa putken läpi. Jos päästämme irti keväällä, se suoristaa ja palaa salpa paikalleen, mikä estää putken ja veden virtaus pysäytetään.

Nyt kuvitella, että tämä putki - transistorin P-N-P-tyypin, niin sen tulokset voidaan tiivistää seuraavasti:

On käynyt ilmi, että virtaa emitteristä kollektoriin (muistaa, että virran suunta sattuu yhteen nuolen päällä päästölähde) tehdä niin, että nykyinen alustasta tai yksinkertaisesti ilmaistuna: hakea miinus pohja.

Katsotaan silmämääräisesti toiminta transistorin. Tästä otamme KT814B ja kerätä yksinkertainen piiri, jossa on kaksi virtalähdettä.

Jotta kunnolla yhdistää transistorin tarve tietää, mitä johtopäätös on emitteri, kannan ja kollektorin. Voit tehdä tämän, löydämme tekninen dokumentaatio ja määrittää:

Hehkulamppu, minä käytän eniten tavallista autoa, joka on suunniteltu 12 volttia. Koottu piiri näyttää tältä:

Niin, että jätämme järjestelmän työtä virtalähteen 12 volttia №2. Ja ensimmäinen teholähde alkaa hyvin pehmeästi (tyhjästä) nostaa jännitettä tarkasti hetki, kunnes meidän merkkivalo syttyy.

Järjestelmä saanut jännitteellä 0,66 volttia ensimmäisenä lähteenä.

Että on olemassa oli "löytö" transistorin ja emitterin kautta, keräilijä piiri alkoi kulkea virtaa.

Toisin sanoen, jännite, joka avannut transistori - se on vain jännitehäviön P-N kanta-emitteri jännite, joka on sijoitettu tarkasti alueella 0,5-0,7 V pii transistorit.

Ja miten asioita transistoreita, jotka käyttävät N-P-N-rajapinnan.

Toimintaperiaate N-P-N-transistori

Jos tarkastellaan lähemmin teknisiä asiakirjoja transistorin KT814B löytyy arkisto, joka komplementaarinen transistori pari on KT815B, ja se eroaa vain siinä, että se käyttää N-P-N- siirtyminen.

Ja kytkentäkaavio näyttää tältä:

Katso tarkkaan tätä piiri ja kytkentäpiiri KT814B, et huomaa mitään? Että oikeus, ainoa ero kahden transistorin piilee siinä, että transistorin P-N-P-siirto nimeltään "miinus" (koska pohja on sovellettu negatiivinen potentiaali), mutta transistori N-P-N avattu "Plus".

johtopäätös

Tässä olemme käyttöön materiaaliin BJT, niiden rakentaminen ja toimintaperiaate, ja niin ne on esitetty kaavioissa. Jos artikkeli on tarjota sinulle mielenkiintoisia ja hyödyllisiä, arvostat sitä kuin. Kiitos mielenkiinnosta!