Amerikkalaiset tutkijat ovat luoneet nanomittakaavan LED-valot 100 kertaa kirkkaammin kuin tavallisesti

Kuten tiedät, vakio-LED-valot ovat litteitä malleja, joita tuotetaan samalla tavalla kuin transistoreita.

Transistoreissa on jo uusi tekniikka, joka sallii pystykanavat (FinFET) ja kuljettaa siten valtavat virrat transistoreiden läpi.

Mutta jotenkin kukaan ei ajatellut laittaa LED-valoja reunalle ja siten saada ne toimimaan paljon tehokkaammin. Mutta amerikkalaiset tutkijat onnistuivat kokeilemaan LEDiä. Ja tulokset ovat seuraavat.

Kuka keksi LEDin asettamisen "pappiin"

Kokeilua johti Yhdysvaltain kansallisen standardointi- ja teknologiainstituutin (NIST), ja siihen osallistui insinööri Marylandin yliopistosta, Rensselaer-ammattikorkeakoulusta ja IBM: n tutkimuskeskuksesta.

Yhdessä kehitettiin teoreettinen perusta ja sitten uusi LED-rakenne toteutettiin todellisessa kokeessa.

Joten uuden suunnittelun käytännön testit ovat osoittaneet yksinkertaisesti upeita tuloksia:

Kokeellinen LED osoitti hehkun kirkkauden valtavaa kasvua, mikä tuli mahdolliseksi muuntaa LED puolijohdilaseriksi ilman erikoistuneita laitteita (resonaattorit jne.).

Joten verrattuna tavallisiin submikronisiin LEDeihin uusi kokeellinen LED osoitti kirkkauden kasvua 100-1000 kertaa.

Tämä on hämmästyttävä tulos, koska tutkijat käyttivät standardikomponentteja LED: n toteuttamiseen - galliumnitridi, sinkkioksidi, titaani ja kulta (erittäin kirkkaiden LEDien komponentit).

Kuinka uusi LED otetaan käyttöön

Ainoa ero on LEDien muoto. Lukuisten kokeiden aikana tutkijat loivat LEDin pitkänomaisista ohuista sinkkioksidifilamenteista, joita kutsuttiin eviksi.

Jokainen tällainen rakenne on vain 5 mikronia leveä, mutta pituudeltaan se voi olla jopa senttimetri tai jopa enemmän (siten tuotteen ominaisuudet asetetaan).

Kuten FinFET-transistoreilla varustetussa versiossa, uuteen LEDiin oli mahdollista syöttää virtaa jopa sivureunojen kautta.

Joten käytännön kokeet yllätti suuresti tutkijoita, koska tällä tavalla luotu pystysuora rakenne tuotti valovirtaa 20 μW: n teholla, ja klassinen vastaavan kokoinen LED antoi vain 22 nW, toisin sanoen se oli 100-1000 kertaa pienempi.

Toinen ainutlaatuinen löytö oli se, että kuluvan virran voimakkuuden kasvaessa hehku Laajan spektrin LED siirtyi voimakkaasti vain kahden ultraviolettisäteilyn säteilyyn alue.

Toisin sanoen pienellä käden liikkeellä LED muutettiin puolijohde-laseriksi.

Tämä ainutlaatuinen löytö avaa laajimmat mahdollisuudet uusien seuraavan sukupolven elektronisten laitteiden tuotannossa.

Piditkö materiaalista? Sitten laitetaan peukalomme ylös ja tilataan! Kiitos huomiostasi!